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SK海力士公布新款DRAM,称实现单晶圆存储量最大:金沙下载
2021-01-06 [30601]
本文摘要:在前行DRAM的生产工艺上,三星、SK海力士和美光这三大玩家游戏压根没中止过行驶的脚步。

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在前行DRAM的生产工艺上,三星、SK海力士和美光这三大玩家游戏压根没中止过行驶的脚步。10月21日,SK海力士宣布了产品研发根据第三代1Z纳米(10nm)加工工艺的DDR4动态性随机存储器(DRAM),称作将搭建单一处理芯片规范内全球仅次容积的18GB,即在一张圆晶里能生产制造的储存量超出现有的DRAM中仅次。据报,最新款1Z纳米DRAM抵制达到3200Mbps的数据信息传输速度,超出DDR4规格型号内最少速率;另外在功能损耗层面,与上一代完全一致容积摸组相比,减少了大概40%;除此之外,与上一代1Y纳米产品相比,其生产量提升 大概27%,因其必须划算的极紫外线(EUV)光刻技术护持,因而具有成本费核心竞争力。

有一点觉得的是,第三代产品用以了上一代加工过程中仍未用以的新型材料来减少电容器,而伴随着电容器的减少,储存数据信息的享有時间和一致性也不会减少,因此可靠性而求提升。针对产品的商用,SK海力士答复将在年之内做好大批量生产的准备,并于今年刚开始全方位供货,以大力支持市场的需求。除此之外,它方案将第三代1Z纳米级识工程设计拓展到多种多样主要用途,还包含下一代挪动DRAMLPDDR5和最少尾端DRAMHBM3等。


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